半導體先進光刻理論與技術

常用符號中英文對照表
第1章光刻製程概述
1.1 從微電子裝置的微型化到奈米技術
1.2 發展歷程
1.3 步進掃描投影光刻機的空間像
1.4 光阻製程
1.5 製程特性參數
1.6 總結
參考文獻
第2章投影微影成像理論
2.1 投影微影機
2.2 影像理論
2.2.1 傅立葉光學描述方法
2.2.2 傾斜照明與部分相干成像
2.2.3 其他影像模擬方法
2.3 阿貝瑞利準則
2.3 .1 解析度極限與焦深
2.3.2 結論
2.4 總結
參考文獻
第3章光阻
3.1 光阻概述、常見反應機制與唯象描述
3.1.1 光阻的分類
3.1.2 重氮萘醌類光阻
3.1.3 最先進的正性化學放大光阻
3.1.4 唯像模型
3.2 光刻製程與建模方法
3.2.1 光刻製程簡介
3.2.2 曝光
3.2.3 後烘
3.2.3.1 重氮萘醌光阻
3.2.3.2 化學放大光阻
3.2.4 化學顯影
3.3 建模方法與緊湊光阻模型
3.4 負性與正性光刻膠材料與製程
3.5 總結
參考文獻
第4章光學解析度增強技術
4.1 離軸照明
4.1.1 線空圖形的最佳離軸照明
4.1.2 適用於接觸孔陣列的離心照明
4.1.3 由傳統與參數化光源形狀到自由照明
4.2 光學鄰近效應修正
4.2.1 孤立-密集圖形偏差的補償
4.2.2 線端縮短的補償
4.2.3 從基於規則的OPC到基於模型的OPC，再到反向光刻
4.2.4 OPC模型與製程流程
4.3 相移遮罩
4.3.1 強相移遮罩：交替型相移遮罩
4.3.2 衰減型相移遮罩
4.4 光瞳濾波
4.5 光源遮罩最佳化
4.6 多重曝光技術
4.7 總結
參考文獻
第5章材料驅動的解析度增強技術
5.1 解析度極限回顧
5.2 非線性雙重曝光
5.2.1 雙光子吸收材料
5.2.2 光閾值材料
5.2.3 可逆對比增強材料
5.3 雙重與多重圖形技術
5.3.1 光刻蝕-微影-蝕刻
5.3.2 微影-凍結-微影-蝕刻
5.3.3 自對準雙重圖形技術
5.3.4 雙重顯影技術
5.3.5 雙重或多重圖形技術的選擇
5.4 導向自組裝
5.5 薄膜成像技術
5.6 總結
參考文獻
第6章極紫外光刻
6.1 光源
6.2 EUV和多層膜薄膜中的光學材料特性
6.3 掩模
6.4 光刻機與成像
6.5 光刻膠
6.6 掩模缺陷
6.7 EUV光刻的光學解析度極限
6.7.1 6.xnm波長EUV微影(BEUV微影）
6.7.2 高數值孔徑微影
6.7.3 減少製程因子k1：EUV光刻解析度增強技術
6.8 小結
參考文獻
第7章無需投影成像的光學光刻.
7.1 無投影物鏡的光學光刻：接觸式與接近式光刻技術
7.1.1 成像及分辨率極限
7.1.2 技術實現
7.1.3 先進的掩模對準光刻
7.2 無光罩光學光刻
7.2.1 干涉光刻
7.2.2 雷射直寫光刻
7.3 無衍射極限的光學光刻
7.3.1 近場光刻
7.3.2 光學非線性光刻
7.4 三維光學光刻
7.4.1 灰階光刻
7.4.2 三維干涉光刻
7.4.3 立體光刻與3D微列印技術
7.5 關於無光光刻的幾點建議
7.6 總結
參考文獻
第8章光刻投影系統：進階主題
8.1 實際投影系統中的波像差
8.1.1 澤尼克多項式描述方法
8.1.2 波前傾斜
8.1.3 離焦像差
8.1.4 像散
8.1.5 彗差
8.1.6 球差
8.1. 7 三葉像差
8.1.8 澤尼克波像差總結
8.2 雜散光
8.2.1 常數雜散光模型
8.2.2 基於功率譜密度的雜散光模型
8.3 高NA投影光刻中的偏振效應
8.3.1 掩模偏振效應
8.3.2成像中的偏振效應.
8.3.3 光刻膠與矽片膜層材料界面引起的偏振效應
8.3.4 投影物鏡偏振效應與向量光刻成像模型.
8.3.5 偏振照明.
8.4 步進掃描投影光刻機中的其他成像效應
8.5 總結
參考文獻
第9章光刻中的掩模形貌效應與矽片形貌效應
9.1 嚴格電磁場模擬方法
9.1.1 時域有限差分法
9.1.2 波導法
9.2 掩模形貌效應
9.2.1 掩模衍射分析
9.2.2 斜入射效應
9.2.3 掩模引起的成像效應
9.2.4 EUV光刻中的掩模形貌效應與緩解策略
9.2.5 三維掩模模型
9.3 矽片形貌效應
9.3.1 底部抗反射塗層的沉積策略
9.3.2 多晶矽線附近的光阻殘留
9.3.3 雙重圖形技術中的線寬變化
9.4 總結
參考文獻
第10章先進光刻中的隨機效應
10.1 隨機變數與過程
10.2 現象
10.3 建模方法
10.4 內在聯繫與影響
10.5 總結
參考文獻
附錄
附錄1 名詞中英文對照
附錄2 縮寫中英文對照