圖解入門 半導體工程學精講

原明人，博士（理學），1983年畢業於東京理科大學理學部第1部應用物理學科，1985年在日本東北大學理學研究科物理專業修完了博士課程前期，1985年在私營企業從事半導體晶體工程和半導體器件的研究與開發工作，1996年取得日本東北大學理學研究科（論文）博士學位，2008年任教於東北學院大學工學部電子工學科（教授），現任教於東北學院大學工學部電氣電子工學科（教授）。 著作（均為共同撰寫） 《超LSI技術17：器件與工藝第7篇》（半導體研究第38捲：工業調查會，西澤潤一編，1993年），第9章CZ-Si晶體中輕元素雜質的行為； 《超LSI技術20：器件與工藝第10篇》（半導體研究第42捲：工業調查會，西澤潤一編，1996年），第9章矽中的重金屬捕捉等共8本。

前言
第1章 量子力學基礎
1-1 波的表示方式
1-2 相速度與群速度
1-3 電子的物質波性質
1-4 不確定性原理
1-5 薛定諤方程式與波函數
1-6 一維方勢阱
1-7 自旋與泡利不相容原理
1-8 三維方勢阱
1-9 量子隧穿效應
1-10 定態微擾理論
1-11 含時微擾理論
章末問題
第2章 從氫原子到物質
2-1 氫原子
2-2 氫分子
2-3 由s軌道或p軌道組成的物質
章末問題
第3章 能帶理論
3-1 晶體的周期性和晶體結構
3-2 金屬自由電子理論
3-3 布洛赫定理
3-4 一維空格子的電子結構
3-5 一維晶格的帶隙
3-6 二維和三維晶格的帶隙
3-7 一維強關聯近似
3-8 二維強關聯近似
章末問題
第4章 半導體的能帶結構
4-1 強關聯近似下的能帶結構
4-2 k·p微擾（1）：帶邊的詳細結構
4-3 k·p微擾（2）：基於面心立方結構空格子的計算
4-4 有效質量與運動方程
4-5 空穴
4-6 本徵半導體載流子濃度與溫度的關系
章末問題
第5章 摻雜半導體
5-1 施主與受主
5-2 淺能級雜質中心的有效質量近似
5-3 被施主雜質束縛的電子的空間分佈
5-4 摻雜半導體中載流子濃度與溫度的關系
章末問題
第6章 晶格振動
6-1 什麼是晶格振動
6-2 一維單原子晶格
6-3 一維雙原子晶格
6-4 三維晶格振動
6-5 聲子
6-6 晶格比熱
章末問題
第7章 載流子輸運現象
7-1 歐姆定律
7-2 霍爾效應
7-3 遷移率的溫度相關性
7-4 玻爾茲曼方程
7-5 散射過程的計算
7-6 弛豫時間的計算
章末問題
第8章 半導體的光學性質
8-1 物質中的電磁波
8-2 帶間躍遷
8-3 受施主束縛電子的光激發
第9章 pn結
9-1 pn結的形成方法
9-2 擴散電流
9-3 pn結附近發生的現象
9-4 熱平衡狀態下的pn結能帶圖
9-5 連續性方程
9-6 正向電流
9-7 反向電流
9-8 結電容
9-9 pn結中的隧穿效應
章末問題
第10章 MOS結構
10-1 MOS結構概述
10-2 積累層、耗盡層和反型層中的電場分佈及勢能分佈
10-3 Si錶面的電子
10-4 理想MOS的電容
10-5 非理想MOS的情況
章末問題
第11章 MOS場效應晶體管
11-1 MOS場效應晶體管的結構
11-2 MOS場效應晶體管的工作原理（1）：線性區
11-3 MOS場效應晶體管的工作原理（2）：一般情況下的電流-電壓特性
11-4 MOS場效應晶體管的工作原理（3）：飽和區
11-5 遷移率
11-6 閾值電壓
11-7 亞閾值斜率
11-8 襯底偏壓效應
章末問題
第12章 集成電路
12-1 CMOS反相器的結構
12-2 CMOS反相器中p溝道型MOSFET的工作原理
12-3 CMOS反相器中p溝道型MOSFET工作原理的
公式推導
12-4 CMOS反相器工作原理的公式推導
12-5 CMOS反相器的開關特性
12-6 等比例縮小
章末問題
第14章 界面的量子化
13-1 Si-MOS反型層電子的量子化
13-2 準二維電子系統的電子狀態
13-3 Si-MOS反型層的電子狀態
13-4 磁場下的二維電子系統和邊緣態
13-5 異質結
章末問題
章末問題的答案