半導體器件缺陷與失效分析技術精講

日本可靠性技術叢書編輯委員會 譯 李哲洋//於樂//汪久龍//沈斌清//張欣然等

半導體器件缺陷與失效分析技術精講
  • 出版商: 機械工業
  • 出版日期: 2024-02-01
  • 售價: $594
  • 貴賓價: 9.5 折 $564
  • 語言: 簡體中文
  • 頁數: 159
  • 裝訂: 平裝
  • ISBN: 7111749626
  • ISBN-13: 9787111749622
  • 相關分類: 半導體

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商品描述

本書共分為4章，內容包括半導體器件的缺陷、失效分析技術概要，矽集成電路(LSI)的失效分析技術，
功率器件的缺陷、失效分析技術，化合物半導體發光器件的缺陷、失效分析技術。
筆者在書中各處開設了專欄，用以介紹每個領域的某些方面。
在第2-4章的末尾各列入了3道例題。
這些例題出自日本科學技術聯盟主辦的“初級可靠性技術者”資格認定考試，題型為5選1。
 

作者簡介

汪久龍，畢業於中科院半導體研究所材料工程專業，碩士學位。目前在北京智慧能源研究院從事碳化矽外延材料生長工藝開發工作。

目錄大綱

前言
第1章 半導體裝置缺陷及失效分析技術概要/
1.1失效分析的定位/
1.2缺陷分析的定位/
1.3用於缺陷及失效分析的分析工具概要/
欄:NANOTS的成立與更名/
第1章參考文獻/
第2章 矽積體電路(LSI)的失效分析技術/
2.1失效分析的步驟和近8年新開發或普及的技術/
2.2封裝部件的失效分析/
2.3芯片部件失效分析過程與主要失效分析技術一覽/
2.4芯片部件的無損分析方法/
2.5芯片部件的半破壞性分析/
2.6物理和化學分析方法/
專欄:應該如何命名?/
第2章練習題/
第2章縮略語表/
第2章參考文獻/
第3章 功率元件的缺陷及失效分析技術/
3.1功率裝置的結構與製造流程/
3.2由晶圓製造製程引起的裝置缺陷及失效分析技術/
專欄:晶圓背面狀態對製程的影響/
3.3由芯片製造製程引起的裝置缺陷及失效分析技術/
專欄:鹼金屬的加速氧化/
3.4由模組製造製程引起的設備缺陷及失效分析技術/
3.5功率元件的其他分析技術/
專欄:增大用於功率元件的晶圓直徑/
第3章練習題/
第3章參考文獻/
第4章 化合物半導體發光裝置的缺陷及破壞分析技術/
4.1化合物半導體發光裝置的工作原理與結構/
4.2化合物半導體發光裝置的可靠度(以半導體雷射為例)/
4.3化合物半導體發光裝置的可靠度測試/
4.4化合物半導體發光裝置缺陷及破壞分析的基本技術/
4.5化合物半導體發光裝置缺陷及失效分析流程圖/
專欄:高速成長的VCSEL市場，可靠性沒問題?不!/
第4章練習題/
第4章縮略語表/
第4章參考文獻/
作者介紹/
練習題答案

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